Я выбрал тему ‘Электронное строение внешнего уровня атома галогена’ и расскажу о том, какое электронное строение на внешнем уровне характерно для галогеновых атомов, используя приведённые формулы․
На внешнем уровне атома галогена располагается p-подуровень, который может вмещать до 6 электронов․ Галогены включают в себя элементы, такие как фтор (F), хлор (Cl), бром (Br), йод (I) и астат (At)․ Посмотрев на предложенные формулы, я увидел, что электронное строение внешнего уровня для галогеновых атомов соответствует формуле 3) 3s²3p․Это означает, что на слое s на внешней оболочке находятся 2 электрона, а на слое p ‒ 6 электронов․ Таким образом, на внешнем уровне у атома галогена находится 8 электронов, учитывая оба подуровня s и p․
Этот рядок электронов на внешнем уровне делает галогены очень реактивными элементами, потому что им не хватает одного электрона для достижения стабильной октетной структуры, в которой электронная оболочка содержит 8 электронов․ Именно из-за этого галогены обладают такими химическими свойствами٫ как высокая электроотрицательность и способность образовывать сильные ковалентные связи с другими атомами․