1. Биполярный транзистор ⸺ это полупроводниковый прибор, используемый для усиления и коммутации электрических сигналов. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала⁚ коллектора, базы и эмиттера. Коллектор и эмиттер имеют противоположные типы проводимости (P и N), а база обладает промежуточным типом проводимости.
Существует несколько основных схем включения биполярных транзисторов в электрическую цепь. Одна из наиболее распространенных схем ー это схема включения с ОЭ (общий эмиттер). В этой схеме эмиттер является общим для входного и выходного сигнала, а база подключается к источнику управляющего сигнала, а коллектор ー к нагрузке. Такая схема обеспечивает высокое усиление тока и мощности.2. Процесс усиления мощности электрических колебаний в транзисторе происходит благодаря эффекту инжекции носителей заряда из базы в эмиттер и коллектор. Управляющий сигнал на базе изменяет проводимость транзистора, что позволяет усиливать входной сигнал и передавать его на выход.
3. Схема включения транзистора с ОЭ является наиболее распространенной из-за своей высокой эффективности и усиления сигнала. В этой схеме транзистор работает в активном режиме усиления, когда коллекторный ток существенно больше базового тока. Также ОЭ схема обеспечивает низкий выходной сопротивление, что упрощает подключение к нагрузке.
4. Формы характеристик транзистора обусловлены его режимом работы. Например, характеристика Ic-Uce (коллекторный ток ⸺ напряжение коллектора-эмиттера) имеет форму насыщения, активного режима и отсечки. В активном режиме транзистор работает как усилитель, в насыщении ー как коммутатор, а в отсечке ⸺ как разомкнутый переключатель.
5. Ток через транзистор зависит от токов базы (Ib) и коллектора (Ic) по закону Кирхгофа. В ОЭ схеме Ic примерно равен усилению базового тока на коэффициент усиления по току (β), тогда Ib Ic / β. Таким образом, ток базы и коэффициент усиления могут влиять на выходной ток транзистора. Включение резисторов в базовую цепь позволяет добиться нужных значений токов и напряжений.