В качестве примеси для получения дырочной проводимости в полупроводниковых микросхемах следует использовать бор, галлий и индий.
Бор является примесью, которая при внедрении в полупроводник создает дефекты, называемые акцепторными уровнями, на которых могут перемещаться отсутствующие электроны. Это создает дырки в полупроводнике и способствует дырочной проводимости.Галлий и индий также могут использоваться в качестве примесей для получения дырочной проводимости. Они содержат электроны, которые могут перемещаться в полупроводнике, создавая также дырки и способствуя дырочной проводимости.
Однако следует отметить, что фосфор, мышьяк и сурьма не используются в качестве примесей для получения дырочной проводимости, а наоборот, используются для получения электронной проводимости в полупроводниковых материалах.
Итак, верными вариантами для использования в качестве примесей для получения дырочной проводимости являются бор, галлий и индий.